K4A4G165WG-BCWE vs MT40A512M16LY-062E AAT:E Comparación

Comparación detallada lado a lado de K4A4G165WG-BCWE por Samsung Electronics y MT40A512M16LY-062E AAT:E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K4A4G165WG-BCWE K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE ✓ Activo
Micron Technology
MT40A512M16LY-062E AAT:E MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K4A4G165WG-BCWE MT40A512M16LY-062E AAT:E
Marca Samsung Electronics Micron Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $16,90 $9,20
Tipo de memoria DDR4 SDRAM (volatile DRAM) DDR4 SDRAM
Tamaño de memoria 4 Gbit 8 Gbit (1 GB)
Memory Organization 256M x 16 512M x 16
Interfaz Parallel Parallel
Velocidad de datos 3200 Mbps —
Access Time 19 ns 19 ns
Tensión de alimentación 1.2 V 1.2 V
Temperatura de funcionamiento 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Encapsulado FBGA-96 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Memory Format DRAM —
Technology DDR4 —
Product Status Active —
Estado RoHS Compliant (per JLCPCB listing) Compliant
Clock Frequency [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] 1.6 GHz
Latencia CAS [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh interval] —
Speed Grade — 062E
Package Height — [DATA_NEEDED: package max height]
MSL Rating — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Ordering Code Suffix — AAT:E (temperature/package option per Micron code)
Moisture Packaging — [DATA_NEEDED: packing type for AAT:E suffix]
Data Rate Class — DDR4-3200 (062E speed bin)

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